大家好,今天小六子来为大家解答以下的问题，关于单结晶体管作用，单结晶体管这个很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！

1、单结晶体管的工作原理将双基极二极管按图2(a)接于电路之中，观察其特性。

2、首先在两个基极之间加电压UBB，再在发射极E和第一基极B1之间加上电压UE，UE可以用电位器RP进行调节。

3、这样该电路可以改画成图2(b)的形式，双基极二极管可以用一个PN结和二个电阻RBRB2组成的等效电路替代。

4、(a)                                                             (b) 图2  双基极二极管的特性测试电路当基极间加电压UBB时，RB1上分得的电压为  式中称为分压比，与管子结构有关，约在0.5～0.9之间。

5、2.当UE＝UBB＋UD时，单结晶体管内在PN结导通，发射极电流IE突然增大。

6、把这个突变点称为峰点P。

7、对应的电压UE和电流IE分别称为峰点电压UP和峰点电流IP。

8、显然，峰点电压Up＝UBB＋UD    式中UD为单结晶体管中PN结的正向压降，一般取UD＝0.7V。

9、在单结晶体管中PN结导通之后，从发射区（P区）向基压（N区）发射了大量的空穴型载流子，IE增长很快，E和B1之间变成低阻导通状态，RB1迅速减小，而E和B1之间的电压UE也随着下降。

10、这一段特性曲线的动态电阻为负值，因此称为负阻区。

11、而B2的电位高于E的电位，空穴型载流子不会向B2运动，电阻RB2基本上不变。

12、当发射极电流IE增大到某一数值时，电压UE下降到最低点。

13、特性由线上的这一点称为谷点V。

14、与此点相对应的是谷点电压UV和谷点电流IV。

15、此后，当调节RP使发射极电流继续增大时，发射极电压略有上升，但变化不大。

16、谷点右边的这部分特性称为饱和区。

17、综上所述，单结晶体管具有以下特点：（1）当发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通。

18、导通之后，当发射极电压小于谷点电压UV时，单结晶体管就恢复截止。

19、（2）单结晶体管的峰点电压UP与外加固定电压UBB及其分压比有关。

20、而分压比是由管子结构决定的，可以看做常数。

21、对于分压比不同的管子，或者外加电压UBB的数值不同时，峰值电压UP也就不同。

22、（3）不同单结晶体管的谷点电压UV和谷点电流IV都不一样。

23、谷点电压大约在2~5V之间。

24、在触发电路中，常选用稍大一些、UV低一些和IV大一些的单结管，以增大输出脉冲幅度和移相范围。

25、单结晶体管触发电路单结晶体管触发的单相半控桥式整流电路图3  单结晶体管的伏安特性曲线1．调节RP，使UE从零逐渐增加。

26、当UE比较小时（UE＜UBB＋UD），单结晶体管内的PN结处于反向偏置，E与B1之间不能导通，呈现很大电阻。

27、当UE很小时，有一个很小的反向漏电流。

28、随着UE的增高，这个电流逐渐变成一个大约几微安的正向漏电流。

29、这一段在图3所示的曲线中称为截止区，即单结晶体管尚未导通的一段。

本文分享完毕，希望对你有所帮助。