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雪崩击穿和齐纳击穿哪个电压大(雪崩击穿和齐纳击穿)

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1、半导体工艺中,由高纯度的本征半导体进行掺杂,从而形成不同的形态。

2、如果掺杂5价原子因电子数大于空穴数即称为n型半导体,若掺杂3价原子因电子数小于空穴数即称为p型半导体。

3、空穴和电子都能搬运电荷,因而称载流子。

4、将两种形态的半导体相邻结合到一起,由于彼此所含电子和空穴数浓度不同,因而相互扩散,由浓度高的向浓度低的地方移动,电子和空穴会在一定时间内相互结合而消失,以保持中性,这样形成一段没有载流子的空间,称为耗尽层。

5、耗尽层存在电位差,有电场的存在,称之为内电场。

6、在电场的作用下载流子发生定向移动,称之为漂移。

7、扩散使电场增加,空间电荷范围加大,而漂移则在减弱空间电荷范围。

8、这种将pn相邻结合到一起制成的晶体结构,称之为pn结。

9、pn结在没有外力的情况下,处于热平衡状态,这种平衡状态是处于动态之中的,即扩散运动与漂移运行达成的平衡状态。

10、pn结的外加电压,如果p端的电位高于n端的电位,这样的外电电场削弱了内电场,有利于多数载流子的扩散,形成从p流向n的电流,称为正向偏置,反之,载流子则几乎不发生移动,称为反向偏置。

11、反向电压大于某一值时,会有导致pn结击穿,称为齐纳击穿或隧道击穿。

12、另一种情况,是pn结两侧的杂质浓度过小,在高的反向电压作用下,引起价键的断裂,从而使电流成倍增加,称为电子雪崩现象或雪崩击穿。

13、pn结制作成元器件使用就是二极管。

14、pn结,p区空穴向n区扩散,n区电子向p区扩散,在相遇处复合。

15、p区空穴扩散后留下负离子,而n区电子扩散后留下正离子,形成由n指向p的内电场。

16、正向偏置时,p区不断提供复合留下的负离子,n区则复合留下的正离子,使得内电场范围缩小,扩散运动大于漂移运动,平衡状态发生破坏,因而有电流的产生。

17、反向偏置,少数载流子的漂移处于优势,但因少数载流子浓度太低,引起的反向电流远小于正向电流。

18、所以问题关键在于扩散与漂移运动是否平衡。

19、半导体三极管,存在两个pn结,了解半导体三极管的工作原理就是要了解这两个pn结的平衡状态,在发生什么变化。

20、 晶体管的制作要求,从浓度大小来看,发射区最大,集电区最小。

21、从尺寸看,集电区最大,基区最小。

22、如果条件不能满足,晶体管将无法工作。

本文分享完毕,希望对你有所帮助。

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